首先，用指針式萬用表鑒別場效應管。
(1)通過測量電阻區分結型場效應晶體管的電極。
根據場效應晶體管PN結正向和反向電阻值不同的現象，可以區分結型場效應晶體管的三個電極。具體方法:將萬用表設在R×1k，選擇兩個電極，分別測量正負電阻值。當兩個電極的正負電阻值相等且為幾千歐姆時，這兩個電極分別為漏極D和源極S。
因為結型場效應晶體管的漏極和源極是可以互換的，所以剩下的電極壹定是柵極g，妳也可以將萬用表的黑色觸針(紅色觸針也可以)隨意接觸到壹個電極，另壹個觸針依次接觸另外兩個電極，測量其電阻。當兩次測得的電阻值大致相等時，黑色鐵筆接觸的電極為柵極，另外兩個電極分別為漏極和源極。
如果兩次測得的電阻值都很大，說明PN結反了，也就是兩個電阻都反了，可以判斷是N溝道場效應晶體管，黑觸針接在柵極上；如果測兩次電阻都很小，說明是正向PN結，也就是正向電阻，判斷為P溝道場效應晶體管，黑探針也接在柵極上。如果沒有出現上述情況，可以更換黑色和紅色探針，按照上述方法進行測試，直到識別出網格為止。
(2)通過測量電阻來判斷FET的好壞。
電阻測量方法是用萬用表測量FET的源極與漏極之間、柵極與源極之間、柵極與漏極之間、柵極G1與柵極G2之間的電阻值，來判斷FET說明書上標明的電阻值是否壹致。具體方法:首先將萬用表放在R×10或R×100檔，測量源極S和漏極D之間的電阻，壹般在幾十歐姆到幾千歐姆的範圍內(手冊上知道不同型號的燈管電阻值不壹樣)。如果測得的電阻值大於正常值，可能是內部接觸不良；如果測得的電阻為無窮大，則可能是內部磁極斷裂。
然後將萬用表放在R×10k，再測量柵極G1與G2之間、柵極與源極之間、柵極與漏極之間的電阻值。當所有電阻值都為無窮大時，電子管正常。如果上述電阻值測量值太小或通道，管是壞的。需要註意的是，如果管內有兩個網格斷裂，可以使用元素替代法進行檢測。
(3)用感應信號輸入的方法估算場效應晶體管的放大能力。
具體方法:用R×100的萬用表電阻，將紅色表筆接源極S，黑色表筆接漏極D，給FET加壹個1.5V的電源電壓。此時，觸控筆指示的漏極和源極之間的電阻值。然後用手捏住結型場效應晶體管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣由於電子管的放大作用，漏源電壓VDS和漏電流Ib都會發生變化，也就是漏源之間的電阻會發生變化，從中可以觀察到指針有較大的擺動。如果手捏的柵極針有輕微擺動，說明電子管的放大能力差；手的擺動幅度大，說明電子管的放大能力大；如果手不動，說明管子壞了。
按照上述方法，我們用R×100量程的萬用表，測量結型場效應晶體管3DJ2F。首先打開燈管的G極，測量漏源電阻RDS為600ω。用手握住G極後，手向左擺動，指示電阻RDS為12kω，說明電子管好，放大能力大。
使用這種方法時，有幾點需要說明:
首先，用手捏場效應晶體管的柵極，萬用表指針可能會向右擺動(電阻值減小)或向左擺動(電阻值增大)。這是因為人體感應的交流電壓比較高，用電阻檔測量，不同場效應晶體管的工作點可能不壹樣(要麽工作在飽和區，要麽工作在非飽和區)。測試表明，大部分晶體管的RDS增大，即雙手向左擺動；少數管RDS降低，使手向右擺動。但不管表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度大，就說明電子管有較大的放大能力。
其次，這種方法也適用於MOS場效應晶體管。但需要註意的是，MOS FET的輸入電阻較高，柵極G的允許感應電壓不能太高。所以不要直接用手捏閘門。妳必須用它握住螺絲刀的絕緣柄，用金屬棒觸碰柵極，防止人為感應電荷直接加在柵極上，造成柵極擊穿。第三，每次測量後，G-S極之間應該有短路。這是因為G-S結電容會帶少量電荷，建立VGS電壓，可能導致再次測量時表針不動，只能對G-S電極間的短路放電。
(4)通過測量電阻來判斷未標記的場效應晶體管。
首先通過測量電阻找到兩個有阻值的管腳，分別是源極S和漏極D，剩下的兩個管腳分別是第壹柵極G1和第二柵極G2。先記下兩個探針測得的源極S和漏極D之間的電阻值，然後調整探針再測壹次，記下測得的電阻值。與黑色探針相連的電極為漏電極D；紅色手寫筆接源S，用這種方法識別的S極和D極也可以通過估算FGA25N120的放大原理來拍攝。