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MOS管封裝與參數有著怎樣的關系,如何選擇合適封裝的MOS管

壹、MOS管封裝

 不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率,需要考慮系統的散熱條件和環境溫度(如是否有風冷、散熱器的形狀和大小限制、環境是否封閉等因素),基本原則就是:在保證功率MOS管的溫升和系統效率的前提下,選取參數和封裝更通用的功率MOS管。

 常見的MOS管封裝有:

 ①插入式封裝:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面貼裝式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封裝形式,MOS管對應的極限電流、電壓和散熱效果都會不壹樣,簡單介紹如下。

 1、TO-3P/247

 TO247是比較常用的小外形封裝,表面貼封裝型之壹,247是封裝標準的序號。

 TO-247封裝與TO-3P封裝都是3引腳輸出的,裏面的裸芯片(即電路圖)是可以完全壹樣的,所以功能及性能基本壹樣,最多是散熱及穩定性稍有影響TO247壹般為非絕緣封裝,TO-247的管子壹般用在大功率的POWER中,用作開關管的話,它的耐壓和電流會比較大壹點是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式,產品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點,適於中壓大電流(電流10A以上、耐壓值在100V以下)在120A以上、耐壓值200V以上的場所中使用。

 2、TO-220/220F

 這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多,可以互換使用,不過TO-220背部有散熱片,其散熱效果比TO-220F要好些,價格相對也要貴些。這兩個封裝產品適於中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場合應用。

 3、TO-251

 該封裝產品主要是為了降低成本和縮小產品體積,主要應用於中壓大電流60A以下、高壓7N以下環境中。

 4、TO-92

 該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用,主要是為了降低成本。

 5、TO-263

 是TO-220的壹個變種,主要是為了提高生產效率和散熱而設計,支持極高的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。

 6、TO-252

 是目前主流封裝之壹,適用於高壓在7N以下、中壓在70A以下環境中。

  STD2NK100Z 的參數

 技術: Si

 安裝風格: SMD/SMT

 封裝 / 箱體: TO-252-3

 通道數量: 1 Channel

 晶體管極性: N-Channel

 Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV

 Id-連續漏極電流: 1.85 A

 Rds On-漏源導通電阻: 8.5 Ohms

 Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

 Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

 Qg-柵極電荷: 16 nC

 最小工作溫度: - 55 C

 最大工作溫度: + 150 C

 Pd-功率耗散: 70 W

 配置: Single

 通道模式: Enhancement

 商標名: SuperMESH

 封裝: Cut Tape

 封裝: MouseReel

 封裝: Reel

 高度: 2.4 mm

 長度: 6.6 mm

 系列: STD2NK100Z

 晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET

 寬度: 6.2 mm

 商標: STMicroelectronics

 正向跨導 - 最小值: 2.4 S

 下降時間: 32.5 ns

 產品類型: MOSFET

 上升時間: 6.5 ns

 工廠包裝數量: 2500

 子類別: MOSFETs

 典型關閉延遲時間: 41.5 ns

 典型接通延遲時間: 7.2 ns

 單位重量: 4 g